ຄວາມຮູ້

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງ N-type ແລະ P-type monocrystalline silicon wafers ສໍາລັບ photovoltaic ແສງຕາເວັນ

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງ N-type ແລະ P-type monocrystalline silicon wafers ສໍາລັບ photovoltaics ແສງຕາເວັນ

Monocrystalline wafers ຊິລິໂຄນມີຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງໂລຫະເຄິ່ງ, ມີ conductivity ອ່ອນເພຍ, ແລະ conductivity ຂອງເຂົາເຈົ້າເພີ່ມຂຶ້ນກັບອຸນຫະພູມເພີ່ມຂຶ້ນ. ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງມີຄຸນສົມບັດ semiconducting ທີ່ສໍາຄັນ. ໂດຍ doping wafers ຊິລິໂຄນ monocrystalline ບໍລິສຸດທີ່ມີປະລິມານຂະຫນາດນ້ອຍຂອງ boron, ການ conductivity ສາມາດເພີ່ມຂຶ້ນເພື່ອປະກອບເປັນ P-type ຊິລິຄອນ semiconductor. ເຊັ່ນດຽວກັນ, ການຢອດຢາດ້ວຍ phosphorus ຫຼື arsenic ຈໍານວນນ້ອຍຍັງສາມາດເພີ່ມການນໍາ, ປະກອບເປັນ N-type silicon semiconductor. ດັ່ງນັ້ນ, ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ P-type ແລະ N-type silicon wafers?

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງ P-type ແລະ N-type monocrystalline silicon wafers ມີດັ່ງນີ້:

Dopant: ໃນ monocrystalline silicon, doping ກັບ phosphorus ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນ N-type, ແລະ doping ກັບ boron ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນ P-type.

ການນໍາ: N-type ແມ່ນ electron-conducting, ແລະ P-type ແມ່ນ hole-conducting.

ປະສິດທິພາບ: phosphorus ຫຼາຍໄດ້ຖືກ doped ເຂົ້າໄປໃນ N-type, ອິເລັກຕອນຟຣີມີຫຼາຍ, ການ conductivity ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ. boron ຫຼາຍຖືກ doped ເຂົ້າໄປໃນປະເພດ P, ຂຸມຫຼາຍແມ່ນຜະລິດໂດຍການທົດແທນຊິລິຄອນ, ການ conductivity ທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ.

ໃນປັດຈຸບັນ, wafers silicon P-type ແມ່ນຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍໃນອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic. P-type silicon wafers ແມ່ນງ່າຍດາຍທີ່ຈະຜະລິດແລະມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ. wafers ຊິລິໂຄນ N-type ປົກກະຕິແລ້ວມີຊີວິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຫນ້ອຍ, ແລະປະສິດທິພາບຂອງຈຸລັງແສງຕາເວັນສາມາດສູງຂຶ້ນ, ແຕ່ຂະບວນການແມ່ນສັບສົນຫຼາຍ. N-type silicon wafers ແມ່ນ doped ກັບ phosphorus, ເຊິ່ງມີການລະລາຍທີ່ບໍ່ດີກັບຊິລິຄອນ. ໃນລະຫວ່າງການແຕ້ມຮູບ rod, phosphorus ບໍ່ໄດ້ຖືກແຈກຢາຍຢ່າງເທົ່າທຽມກັນ. P-type silicon wafers ແມ່ນ doped ກັບ boron, ເຊິ່ງມີຄ່າສໍາປະສິດການແຍກທີ່ຄ້າຍຄືກັນກັບຊິລິໂຄນ, ແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງການກະຈາຍແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະຄວບຄຸມ.